台积电关闭部分EUV工艺、放弃3nm,再次证明中芯国际的选择是正确的!
  0 条讨论   发布日期: 9月 12, 2022   文章位于: 互联网络  
  
梁孟松此前表示EUV光刻机到货后,5nm芯片就能够全面展开研发了。不过,全球缺芯后,情况就出现了变化。各大晶圆工厂都积极扩大芯片产能,其中,台积电计划投资1000亿美元,主要提升先进制程芯片的产能。三星计划10年投资超2000亿美元扩产,而英特尔也宣布了1000亿美元的投资建厂计划。

此外,中芯国际的动作也很快,关键是很准确,其早在2020年就开始投资扩产,直接投资500亿元扩大28nm等芯片生产线。随后,中芯国际又在深圳、上海、天津三个城市宣布投资建厂,仍是扩大28nm等芯片的生产线,四次投资超过1700亿元。

如今,全球缺芯得到了缓解,先进制程芯片的产能已经出现过剩,高通、联发科等削减订单,英特尔、苹果等推迟了3nm芯片,但成熟工艺芯片仍很紧缺。甚至有消息称,台积电计划放弃N3工艺,明年直接采用N3E工艺,同时,由于先进制程芯片订单减少,都计划关闭部分EUV光刻机。

这意味着中芯国际赌对了,其多次扩大28nm等芯片的产能是正确的做法。更何况,ASML也表示28nm等成熟工艺的芯片才是最缺的产品,这影响了半导体、汽车等众多行业。

当然,中芯国际不仅在28nm芯片产能方面领先,其还实现了BCD工艺方面领先。据悉,BCD工艺是单片集成工艺,就是将三种不同的元器件集中在一颗芯片上制造,该工艺的芯片主要用在汽车、通信等领域内。

就目前而言,在BCD工艺方面,中芯国际也做到了领先,已经实现了55nm。要知道,BCD工艺的55nm与其它工艺不同了,毕竟,意法半导体的BCD工艺是90nm,台积电和三星的BCD工艺也停留在65nm。

从这一点就能够看出来在,中芯国际在BCD工艺方面是再次领先了。当然,在28nm芯片扩产和BCD工艺方面,中芯国际做到了领先优势,台积电也是变相承认了这一点。据悉,台积电已经开始扩大28/22nm等制程的芯片,其先是扩大南京工厂产能,随后又在日本建厂,还计划在欧洲、印度等地区建厂。

台积电大肆投资建设28n/22nm等芯片工厂,这就说明其承认中芯国际扩大28nm芯片产能的做法是正确的。另外,台积电总裁魏哲家早就表示28nm等芯片满足汽车、5G通讯等诸多行业对芯片的大量需求,还是实现了性能和成本之间的平衡。

台积电总裁魏哲家日前再次警告称,低端芯片的短缺,正在让整个半导体产业受到影响。而所谓低端芯片就是28nm等成熟工艺的芯片。要知道,台积电也出现了产品交付延期的现象,主要原因就是制造芯片的设备中缺少了一些低端芯片,从而阻止了更多芯片的生产。

由此可见,中芯国际及早扩大28nm等芯片产能,还押注BCD等工艺,这完全是正确的选择。

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