新技术让内存不再依赖昂贵的光刻机 内存价格将跳伞式下跌(芯片的光刻机有多贵)

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内存工艺进入20nm节点之后,厂商的命名已经发生了变化,都被称为10nm级内存,但有更细节的划分,之前是1x、1y 和 1z三代,后面是1α,1β,1γ。

在1α,1β,1γ这三代中,三星在1α上就开始用EUV光刻工艺,但是代价就是成本高。而美光前不久抢先宣布的量产1β内存芯片则没有使用EUV工艺,避免了昂贵的光刻机。

新技术让内存不再依赖昂贵的光刻机 内存价格将跳伞式下跌

不使用EUV光刻,美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺,实现了35%的存储密度提升,同时省电15%。

1β之后还有1γ工艺,估计会是12nm级别,制造难度更大,但美光依然没有明确是否使用EUV光刻机。而如今的1β内存,工艺水平相当于13nm。

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